湖大3D存储器选通管技术,致力打造中国制造存储芯片

6月9日，记者在2018年第四批科技成果转化签约大会湖北大学专场上获悉，湖北大学物理与电子科学学院王浩教授领衔的团队，与长江存储科技有限责任公司签约受让3D存储器选通管技术，年产值预计将达60亿元。双方达成战略合作，将继续在3D存储器选通管和高密度阻变存储器及其集成技术的研究上开展合作，全力研发下一代3D存储芯片，为早日实现存储器芯片技术的国产化贡献力量。

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　　选通管技术是3D存储器制造的必备原件。在国家科技重大专项、国家重点研发计划和湖北省技术创新重大项目等项目的支持下，王浩教授团队近年来专攻选通管技术，目前，研发成果已发表多篇学术论文，先后获得7项国家发明专利。

　　据王浩教授介绍，随着云计算、大数据、物联网等应用的发展，未来对存储器的需求会持续增加，我国存储器的消耗量占全球总消耗量的50%以上，市场约415亿美元，但是存储器芯片85%依赖进口，这对于发展自主可控的中国信息技术产业是一个很大的挑战。王浩团队的研究就是存储器芯片国产化生产的一个子项目，选通管是3D X-Point存储器芯片的重要组成部分，将为生产下一代3D存储器提供技术支持。

　　据介绍，3D存储器投入量产后的市场价值约有1千亿，选通管技术将占其中60亿。王浩介绍，目前湖大正致力选通管技术的研发，希望通过与长江存储的合作，联合多方攻关，共同推进信息技术的现实转化，打造存储芯片的“中国制造”。

　　王浩教授表示，对湖北大学来说，与国家存储器基地深度合作，可以了解最前沿的集成电路技术，寻找可能的项目合作机会，从而实现对学生有针对性的培养，提高学生竞争力。这种合作不仅是立足本省，服务地方的重要方式，更是能够推动国家存储器事业越做越好。